Galliumfosfied GaP

Beskrywing

Gallium Phosphide GaP, 'n belangrike halfgeleier met unieke elektriese eienskappe as ander III-V saamgestelde materiale, kristalliseer in die termodinamies stabiele kubieke ZB-struktuur, is 'n oranje-geel semi-deursigtige kristalmateriaal met 'n indirekte bandgaping van 2.26 eV (300K), wat is gesintetiseer uit 6N 7N hoë suiwer gallium en fosfor, en gegroei tot enkelkristal deur Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) tegniek.Galliumfosfiedkristal is gedoteerde swael of tellurium om n-tipe halfgeleier te verkry, en sink gedoteer as p-tipe geleidingsvermoë vir verdere vervaardiging in gewenste wafer, wat toepassings het in optiese stelsel, elektroniese en ander opto-elektroniese toestelle.Enkel Kristal GaP wafer kan Epi-Ready voorberei word vir jou LPE, MOCVD en MBE epitaksiale toepassing.Hoë kwaliteit enkelkristal Gallium fosfied GaP wafer p-tipe, n-tipe of ongedoteerde geleidingsvermoë by Western Minmetals (SC) Corporation kan aangebied word in groottes van 2" en 3" (50mm, 75mm deursnee), oriëntasie <100>,<111 > met oppervlakafwerking van soos gesny, gepoleerde of epi-gereed proses.

Aansoeke

Met 'n lae stroom en hoë doeltreffendheid in liguitstraal, is Gallium fosfied GaP wafer geskik vir optiese vertoonstelsels soos laekoste rooi, oranje en groen liguitstralende diodes (LED's) en agtergrond van geel en groen LCD, ens. en LED-skyfies vervaardiging met lae tot medium helderheid, GaP word ook algemeen aangeneem as die basiese substraat vir die vervaardiging van infrarooi sensors en moniteringskameras.

Doen nou navraag

Besonderhede

Merkers

Tegniese spesifikasie

Galliumfosfied GaP

Hoë kwaliteit enkelkristal Gallium Phosphide GaP wafer of substraat p-tipe, n-tipe of ongedoteerde geleidingsvermoë by Western Minmetals (SC) Corporation kan aangebied word in groottes van 2" en 3" (50mm, 75mm) in deursnee, oriëntasie <100> , <111> met oppervlakafwerking van soos gesny, gelap, geëts, gepoleer, epi-gereed verwerk in enkelwafelhouer verseël in aluminium saamgestelde sak of as pasgemaakte spesifikasie vir die perfekte oplossing.

Geen.	Items	Standaard spesifikasie
1	GaP Grootte	2"
2	Deursnee mm	50,8 ± 0,5
3	Groei metode	LEC
4	Geleiding tipe	P-tipe/Zn-gedoteerd, N-tipe/(S, Si,Te)-gedoteerd, ongedoteerd
5	Oriëntering	<1 1 1> ± 0,5°
6	Dikte μm	(300-400) ± 20
7	Weerstand Ω-cm	0,003-0,3
8	Oriëntasie Plat (OF) mm	16±1
9	Identifikasie Plat (IF) mm	8±1
10	Hall Mobiliteit cm2/Vs min	100
11	Draer Konsentrasie cm^-3	(2-20) E17
12	Ontwrigting Digtheid cm^-2maks	2.00E+05
13	Oppervlak afwerking	P/E, P/P
14	Verpakking	Enkelwafelhouer verseël in saamgestelde aluminiumsak, kartondoos buite

Lineêre Formule	GaP
Molekulêre gewig	100,7
Kristalstruktuur	Sink mengsel
Voorkoms	Oranje soliede
Smeltpunt	NVT
Kookpunt	NVT
Digtheid by 300K	4,14 g/cm³
Energie gaping	2.26 eV
Intrinsieke weerstand	NVT
CAS nommer	12063-98-8
EC nommer	235-057-2

Gallium Fosfide GaP Wafer, met lae stroom en hoë doeltreffendheid in liguitstraal, is geskik vir optiese vertoonstelsels soos laekoste rooi, oranje en groen liguitstralende diodes (LED's) en agtergrond van geel en groen LCD ens. en LED-skyfies vervaardiging met lae tot medium helderheid, GaP word ook wyd aangeneem as die basiese substraat vir die vervaardiging van infrarooi sensors en moniteringskameras.