Beskrywing
Enkelkristal Germanium Wafer/Ingotof monokristallyne germanium is silwergrys kleurvoorkoms, smeltpunt 937°C, digtheid 5,33 g/cm3.'n Kristallyne germanium is bros en het min plastisiteit by kamertemperatuur.Hoë suiwer germanium word verkry deur sone te dryf en gedoteer met indium en gallium of antimoon om n-tipe of p-tipe geleidingsvermoë te verkry, wat hoë elektronmobiliteit en hoë gatmobiliteit het, en elektries verhit kan word vir anti-misvorming of anti-versiersel toepassings.Enkelkristalgermanium word gekweek deur Vertical Gradient Freeze VGF-tegnologie om dit chemiese stabiliteit, korrosiebestandheid, goeie transmissie, baie hoë brekingsindeks en hoë graad van tralieperfeksie te verseker.
Aansoeke
Enkel kristal Germanium vind belowende en wye toepassings, waarin elektroniese graad gebruik word vir diodes en transistors, infrarooi of optiese graad germanium blanko of venster is vir IR optiese venster of skywe, optiese komponente wat gebruik word in nagsig en termografiese beeldoplossings vir sekuriteit, afstandtemperatuurmeting, brandbestryding en industriële monitering toerusting, liggies gedoteerde P en N tipe Germanium wafer kan ook gebruik word vir Hall effek eksperiment.Selgraad is vir substrate wat in III-V drievoudige aansluiting sonselle gebruik word en vir krag Gekonsentreerde PV stelsels van sonsel ens.
.
Tegniese spesifikasie
Enkelkristal Germanium Wafer of Ingotmet n-tipe, p-tipe en ongedoteerde geleidingsvermoë en oriëntasie <100> by Western Minmetals (SC) Corporation kan gelewer word in groottes van 2, 3, 4 en 6 duim deursnee (50 mm, 75 mm, 100 mm en 150 mm) met oppervlakafwerking van geëtste of gepoleerde in pakket van skuim boks of kasset vir wafer en in verseëlde plastieksak vir ingot met kartondoos buite, polikristallyne germanium ingot is ook beskikbaar op aanvraag, of as pasgemaakte spesifikasie om die perfekte oplossing te bereik.
Simbool | Ge |
Atoomnommer | 32 |
Atoomgewig | 72,63 |
Element Kategorie | Metaaloïed |
Groep, Periode, Blok | 14, 4, bl |
Kristalstruktuur | Diamant |
Kleur | Gryserige wit |
Smeltpunt | 937°C, 1211.40K |
Kookpunt | 2833°C, 3106K |
Digtheid by 300K | 5,323 g/cm3 |
Intrinsieke weerstand | 46 Ω-cm |
CAS nommer | 7440-56-4 |
EC nommer | 231-164-3 |
Geen. | Items | Standaard spesifikasie | |||
1 | Germanium Wafer | 2" | 3" | 4" | 6" |
2 | Deursnee mm | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,5 | 150±0,5 |
3 | Groei metode | VGF of CZ | VGF of CZ | VGF of CZ | VGF of CZ |
4 | Geleidingsvermoë | P-tipe / gedoteer (Ga of In), N-tipe / gedoteer Sb, Ongedoteer | |||
5 | Oriëntering | (100)±0.5° | (100)±0.5° | (100)±0.5° | (100)±0.5° |
6 | Dikte μm | 145, 175, (500-1000) | |||
7 | Weerstand Ω-cm | 0,001-50 | 0,001-50 | 0,001-50 | 0,001-50 |
8 | Mobiliteit cm2/Vs | >200 | >200 | >200 | >200 |
9 | TTV μm maks | 5, 8, 10 | 5, 8, 10 | 5, 8, 10 | 5, 8, 10 |
10 | Boog μm maks | 15 | 15 | 15 | 15 |
11 | Ketting μm maks | 15 | 15 | 15 | 15 |
12 | Ontwrigting cm-2 maks | 300 | 300 | 300 | 300 |
13 | EPD cm-2 | <4000 | <4000 | <4000 | <4000 |
14 | Deeltjietellings a/wafer maks | 10 (by ≥0.5μm) | 10 (by ≥0.5μm) | 10 (by ≥0.5μm) | 10 (by ≥0.5μm) |
15 | Oppervlak afwerking | P/E, P/P of soos vereis | |||
16 | Verpakking | Enkelwafelhouer of -kasset binne, kartondoos buite |
Geen. | Items | Standaard spesifikasie | |||
1 | Germanium Ingot | 2" | 3" | 4" | 6" |
2 | Tik | P-tipe / gedoteer (Ga, In), N-tipe / gedoteer (As, Sb), Ongedoteer | |||
3 | Weerstand Ω-cm | 0,1-50 | 0,1-50 | 0,1-50 | 0,1-50 |
4 | Draerleeftyd μs | 80-600 | 80-600 | 80-600 | 80-600 |
5 | Ingot Lengte mm | 140-300 | 140-300 | 140-300 | 140-300 |
6 | Verpakking | Verseël in plastieksak of skuimboks binne, kartondoos buite | |||
7 | Opmerking | Polikristallyne germanium-staaf is op aanvraag beskikbaar |
Enkel kristal Germaniumvind belowende en wye toepassings, waarin elektroniese graad gebruik word vir diodes en transistors, infrarooi of optiese graad germanium blanko of venster is vir IR optiese venster of skywe, optiese komponente wat gebruik word in nagsig en termografiese beeldoplossings vir sekuriteit, afstandtemperatuurmeting, brandbestryding en industriële monitering toerusting, liggies gedoteerde P en N tipe Germanium wafer kan ook gebruik word vir Hall effek eksperiment.Selgraad is vir substrate wat in III-V drievoudige aansluiting sonselle gebruik word en vir krag Gekonsentreerde PV stelsels van sonsel ens.
Verkryging Wenke
Enkel kristal Germanium