Indium Antimonide InSb

Beskrywing

Indium Antimonide InSb, 'n halfgeleier van die groep III-V kristallyne verbindings met sink-mengsel roosterstruktuur, word gesintetiseer deur 6N 7N hoë suiwer Indium en antimoon elemente, en gegroei enkelkristal deur VGF metode of Liquid Encapsulated Czochralski LEC metode van meervoudige sone verfynde polikristallyne ingot, wat in skyfies gesny en in wafer en daarna geblok kan word.InSb is 'n direkte oorgangshalfgeleier met 'n smal bandgaping van 0.17eV by kamertemperatuur, hoë sensitiwiteit vir 1–5μm golflengte en ultrahoë saalmobiliteit.Indium Antimonide InSb n-tipe, p-tipe en semi-isolerende geleidingsvermoë by Western Minmetals (SC) Corporation kan aangebied word in grootte van 1″ 2″ 3″ en 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) deursnee, oriëntasie < 111> of <100>, en met wafel-oppervlakafwerking soos gesny, gelap, geëts en gepoleer.Indium Antimonide InSb teiken van Dia.50-80mm met ongedoteerde n-tipe is ook beskikbaar.Intussen word polikristallyne indium-antimonied InSb (multikristal InSb) met 'n grootte van onreëlmatige knop, of blanko (15-40) x (40-80) mm, en ronde staaf van D30-80 mm ook op versoek aangepas vir die perfekte oplossing.

Toepassing

Indium Antimonide InSb is een ideale substraat vir die vervaardiging van baie moderne komponente en toestelle, soos gevorderde termiese beeldoplossing, FLIR-stelsel, saalelement en magnetoweerstandseffekelement, infrarooi homing missielgeleidingstelsel, hoogs-responsiewe infrarooi fotodetektorsensor , hoë-presisie magnetiese en roterende weerstand sensor, fokus planêre skikkings, en ook aangepas as 'n terahertz straling bron en in infrarooi astronomiese ruimte teleskoop ens.

Doen nou navraag

Besonderhede

Merkers

Tegniese spesifikasie

Indium antimonied

InSb

Indium antimonied substraat(InSb Substraat, InSb Wafer) n-tipe of p-tipe by Western Minmetals (SC) Corporation kan aangebied word in groottes van 1" 2" 3" en 4" (30, 50, 75 en 100 mm) deursnee, oriëntasie <111> of <100>, en met wafel oppervlak van gelapte, geëtste, gepoleerde afwerkings Indium Antimonide Enkelkristal staaf (InSb Monocrystal staaf) kan ook op aanvraag voorsien word.

Indium antimoniedPolikristallyne (InSb Polycrystalline, of multikristallyne InSb) met 'n grootte van onreëlmatige knop, of blanko (15-40) x(40-80) mm word ook op versoek aangepas vir die perfekte oplossing.

Intussen is Indium Antimonide Target (InSb Target) van Dia.50-80mm met ongedoteerde n-tipe ook beskikbaar.

Geen.	Items	Standaard spesifikasie
1	Indium antimonied substraat	2"	3"	4"
2	Deursnee mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Groei metode	LEC	LEC	LEC
4	Geleidingsvermoë	P-tipe/Zn,Ge-gedop, N-tipe/Te-gedop, Ongedoop
5	Oriëntering	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Dikte μm	500±25	600±25	800±25
7	Oriëntasie Plat mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikasie Plat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliteit cm2/Vs	1-7E5 N/nie-gedoteerd, 3E5-2E4 N/Te-gedoteerd, 8-0.6E3 of ≤8E13 P/Ge-gedoteerd
10	Draerkonsentrasie cm-3	6E13-3E14 N/ongedoteerd, 3E14-2E18 N/Gedoteerd, 1E14-9E17 of <1E14 P/Ge-gedoteerd
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Boog μm maks	15	15	15
13	Ketting μm maks	20	20	20
14	Ontwrigting Digtheid cm-2 maks	50	50	50
15	Oppervlak afwerking	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Verpakking	Enkelwafelhouer verseël in aluminiumsak.

Geen.	Items	Standaard spesifikasie
Geen.	Items	Indium Antimonied Polikristallyn	Indium antimonied teiken
1	Geleidingsvermoë	Ongedoteer	Ongedoteer
2	Draer Konsentrasie cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobiliteit cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Grootte	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Verpakking	In saamgestelde aluminium sak, kartondoos buite

Lineêre Formule	InSb
Molekulêre gewig	236,58
Kristalstruktuur	Sink mengsel
Voorkoms	Donkergrys metaalkristalle
Smeltpunt	527 °C
Kookpunt	NVT
Digtheid by 300K	5,78 g/cm³
Energie gaping	0.17 eV
Intrinsieke weerstand	4E(-3) Ω-cm
CAS nommer	1312-41-0
EC nommer	215-192-3

Indium Antimonide InSbwafer is een ideale substraat vir die vervaardiging van baie moderne komponente en toestelle, soos gevorderde termiese beeldingsoplossing, FLIR-stelsel, saalelement en magnetoweerstand-effekelement, infrarooi soekmissielgeleidingstelsel, hoogs-responsiewe infrarooi fotodetektorsensor, hoë -presisie magnetiese en roterende weerstand sensor, fokus planêre skikkings, en ook aangepas as 'n terahertz straling bron en in infrarooi astronomiese ruimte teleskoop ens.