Indium Arsenide InAs

Beskrywing

Indium arsenied InAs kristal is 'n saamgestelde halfgeleier van groep III-V gesintetiseer deur ten minste 6N 7N suiwer indium en arseen element en gegroei enkel kristal deur VGF of Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) proses, grys kleur voorkoms, kubieke kristalle met sink-blend struktuur , smeltpunt van 942 °C.Indiumarseniedbandgaping is 'n direkte oorgang identies aan galliumarsenied, en die verbode bandwydte is 0.45eV (300K).InAs-kristal het hoë eenvormigheid van elektriese parameters, konstante rooster, hoë elektronmobiliteit en lae defekdigtheid.'n Silindriese InAs-kristal wat deur VGF of LEC gekweek word, kan in skywe gesny en vervaardig word in wafel soos gesny, geëts, gepoleer of epi-gereed vir MBE of MOCVD epitaksiale groei.

Aansoeke

Indiumarsenied kristalwafel is 'n uitstekende substraat vir die maak van Hall-toestelle en magnetiese veldsensor vir sy hoogste saalmobiliteit maar smal energiebandgaping, 'n ideale materiaal vir die konstruksie van infrarooi detektors met die golflengtereeks van 1–3,8 µm wat in hoërkragtoepassings gebruik word by kamertemperatuur, sowel as middelgolflengte-infrarooi superroosterlasers, mid-infrarooi LED-toestelle vervaardig vir sy 2-14 μm golflengtereeks.Verder is InAs 'n ideale substraat om die heterogene InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb of AlGaSb superroosterstruktuur ens verder te ondersteun.

Doen nou navraag

Besonderhede

Merkers

Tegniese spesifikasie

Indium Arsenied

InAs

Indium Arsenide Kristal Waferis 'n uitstekende substraat vir die maak van Hall-toestelle en magnetiese veldsensor vir sy hoogste saalmobiliteit, maar smal energiebandgaping, 'n ideale materiaal vir die konstruksie van infrarooi detektors met die golflengtereeks van 1–3.8 µm wat in hoërkragtoepassings by kamertemperatuur gebruik word, sowel as middelgolflengte-infrarooi superroosterlasers, mid-infrarooi LED-toestelle vervaardig vir sy 2-14 μm golflengtereeks.Verder is InAs 'n ideale substraat om die heterogene InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb of AlGaSb superroosterstruktuur ens verder te ondersteun.

Geen.	Items	Standaard spesifikasie
1	Grootte	2"	3"	4"
2	Deursnee mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Groei metode	LEC	LEC	LEC
4	Geleidingsvermoë	P-tipe/Zn-gedoteerd, N-tipe/S-gedoteerd, Ongedoteerd
5	Oriëntering	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Dikte μm	500±25	600±25	800±25
7	Oriëntasie Plat mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikasie Plat mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobiliteit cm2/Vs	60-300, ≥2000 of soos vereis
10	Draerkonsentrasie cm-3	(3-80)E17 of ≤5E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Boog μm maks	10	10	10
13	Ketting μm maks	15	15	15
14	Ontwrigting Digtheid cm-2 maks	1000	2000	5000
15	Oppervlak afwerking	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Verpakking	Enkelwafelhouer verseël in aluminiumsak.

Lineêre Formule	InAs
Molekulêre gewig	189,74
Kristalstruktuur	Sink mengsel
Voorkoms	Grys kristallyne vaste stof
Smeltpunt	(936-942)°C
Kookpunt	NVT
Digtheid by 300K	5,67 g/cm³
Energie gaping	0,354 eV
Intrinsieke weerstand	0,16 Ω-cm
CAS nommer	1303-11-3
EC nommer	215-115-3

Indium Arsenide InAsby Western Minmetals (SC) Corporation kan verskaf word as polikristallyne klont of enkelkristal soos gesny, geëtste, gepoleerde of epi-gereed wafers in 'n grootte van 2" 3" en 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) deursnee, en p-tipe, n-tipe of ongedoteerde geleidingsvermoë en <111> of <100> oriëntasie.Die pasgemaakte spesifikasie is vir die perfekte oplossing vir ons kliënte wêreldwyd.